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          廢硅片回收在高科技產業中同樣起著重要的作用
          2021-3-18
          來源:未知
          點擊數:  701        作者:未知
          • 為了制備合乎器件和集成電路制作要求的硅片表面,必須進行拋光,以除去殘留的損傷層并獲得一定厚度的高平整度的鏡面硅片。拋光分機械拋光、化學拋光、電子束拋光、離子束拋光,較普遍采用的是化學機械拋光?;瘜W機械拋光是化學腐蝕和機械磨削同時進行,分為銅離子拋光、鉻離子拋光和普遍采用的二氧化硅膠體拋光。二氧化硅膠體拋光是由極細的二氧化硅粉、氫氧化鈉(或有機堿)和水配制成膠體拋光液。在拋光過程中,氫氧化鈉與硅表面反應生成硅酸鈉,通過與二氧化硅膠體的磨削,硅酸鈉進入拋光液,兩個過程不停頓地同時進行而達到拋光的目的。根據不同要求,可用一次拋光、二次拋光(粗拋光和精拋光)或三次拋光(粗拋光、中間拋光和精拋光)。為滿足超大規模集成電路對表面質量和平整度的要求,已有無蠟拋光和無磨料拋光等新工藝。
             廢硅片回收拋光片檢測
            包括目檢、幾何尺寸檢測和熱氧化層錯檢測等。目檢是在正面高強度光或大面積散射光照射下目測拋光片上的原生缺陷和二次缺陷。這些缺陷包括邊緣碎裂、沾污、裂紋、弧坑、鴉爪、波紋、槽、霧、嵌入磨料顆粒、小丘、桔皮、淺坑、劃道、亮點、退刀痕和雜質條紋等。幾何尺寸的檢測包括硅片的厚度、總厚度變化、彎曲度和平整度的檢測。厚度為硅片中心上、下表面兩個對應點之間的距離;總厚度變化為同一硅片上厚度最大值與最小值之差;彎曲度為硅片的中線面與參考平面之間距離的最大值與最小值之差;平整度指硅片表面上最高點與最低點的高度差,用總指示讀數表征。硅片的熱氧化層錯檢測是指硅拋光片表面的機械損傷、雜質沾污和微缺陷等在硅片熱氧化過程中均會產生熱氧化層錯,經擇優腐蝕后,在金相顯微鏡下觀測熱氧化層錯的密度,以此鑒定硅片表面的質量。

            廢硅片回收在高科技產業中起著重要的作用

            硅片制成的芯片被稱為“上帝運算符”,具有驚人的計算能力。不管數學問題,物理和工程問題,無論工作量如何計算,也都是在會計機鍵盤前對它的懷疑,以及解決問題的思考和指令,會計機在很短的時間內就能回答你。通過這種方式,可以在幾分鐘內處理多少年和幾十年的手工會計的問題。即使是有些人也無法計算出疑問的結果,會計機器可以很快的告訴你答案。微電子技術在航空航天、國防和工業方面的能力也被稱為現實。在大型電子會計機的控制下,無人駕駛飛機可以在藍天上自由飛行。衛星、宇宙飛船和航天飛機能夠飛行、飛行、定位和發送信息到地面。在電子會計機器的指揮下,火炮和****能夠精確命中目標,準確擊中目標,甚至能夠精確打擊空中速度運動,包括敵人正在飛行的****。在工業上廣泛應用于會計機和各種傳感技術,可以節約人力,提高主動和加工精度,極大地提高了勞動生產的能力。機器人已經出現在許多工業領域。更多相關產品金屬鎵、銦箔。

            為了共同利益,回收硅片是每個人的責任。

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